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LPCVD 低压化学气相沉积设备
LPCVD 低压化学气相沉积设备的图片
参考报价:
面议
品牌:
鹏城微纳
关注度:
375
样本:
暂无
型号:
LPCVD 低压化学气相沉积设备
产地:
沈阳
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暂无
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LPCVD低压化学气相沉积设备(科研型LPCVD)简介

是在低压高温的条件下,通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。

设备结构及特点

1、小型化,方便实验室操作和使用,大幅降低实验成本
两种基片尺寸2英寸或4英寸;每次装片1~3片。

基片放置方式:配置三种基片托架,竖直、水平卧式、带倾角。

基片形状类型:不规则形状的散片、φ2~4英寸标准基片。

2、设备为水平管卧式结构

由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

反应室由高纯石英制成,耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统,量值准确,性能稳定、可靠。


LPCVD设备主要技术指标

 类型参数 
 成膜类型

 Si3N4、Poly-Si、SiO2

 **温度 1200℃
 恒温区长度 根据用户需要配置
 恒温区控温精度 ≤±0.5℃
 工作压强范围 13~1330Pa
 膜层不均匀性 ≤±5%
 基片每次装载数量 标准基片:1~3片;不规则尺寸散片:若干
 压力控制 闭环充气式控制
 装片方式 手动进出样品




LPCVD低压化学气相沉积设备(生产型LPCVD)简介

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整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理,实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。

设备主要技术指标

 类型参数 
 成膜类型

Si3N4、Poly-Si、SiO2

 **温度 1200℃
 恒温区长度 根据用户需要配置
 恒温区控温精度 ≤±0.5℃
 工作压强范围 13~1330Pa
 膜层不均匀性 ≤±5%
 基片每次装载数量 100片
 设备总功率 16kW
 冷却水用量 2m3/h
 压力控制 闭环充气式控制
 装片方式 悬臂舟自动送样


LPCVD软件控制界面


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